[发明专利]半导体器件及方法有效
| 申请号： | 201210404792.X | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103066058A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂安·比尔策;乔治·迈尔-伯格 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和方法。一种电子器件包括半导体芯片。所述半导体芯片包括路由线。绝缘层设置在所述半导体芯片上方。焊料沉积物设置在所述绝缘层上方。通孔延伸穿过所述绝缘层的开口以使所述路由线与所述焊料沉积物电连接。所述通孔面向所述路由线的前缘线部分基本上为直线，具有凹曲率或大于所述通孔的最大横向尺寸的直径的凸曲率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：半导体芯片，所述半导体芯片包括路由线；绝缘层，设置在所述半导体芯片上方；焊料沉积物，设置在所述绝缘层上方；以及通孔，延伸穿过所述绝缘层的开口以使所述路由线与所述焊料沉积物电连接，其中所述通孔的面向所述路由线的前缘线部分基本上为直线、具有凹曲率或大于所述通孔的最大横向尺寸的直径的凸曲率。
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