[发明专利]太阳能电池用锗单晶生长的掺杂方法

摘要

太阳能电池用锗单晶生长的掺杂方法，其特征在于步骤如下：1.清洗干燥高纯锗，2.将高纯锗和掺杂剂装入单晶炉内的坩埚中，3.抽真空，4.加热，5.当坩埚内的原料全部融化后使掺杂元素在锗中初步混合，6.降温，7.使掺杂元素在锗中均匀混合。本发明所使用的掺杂剂，可以是Ga、In、As、Sb等的一种或几种。该方法操作简单，只需一次掺杂，就能使掺杂剂在太阳能电池用锗单晶中均匀分布，锗单晶的电阻率均匀分布，轴向电阻率变化小，利于工业化生产；通过测试，锗单晶电阻率在0.001～0.003Ω·cm，可达到太阳能电池用锗单晶电阻率均匀分布的要求。

主权项

太阳能电池用锗单晶生长的掺杂方法，其特征在于步骤如下：步骤一，清洗干燥：将称好的高纯锗放在清洗机热水槽内，升温至40℃～65℃，然后将其依次放入热水酸泡槽、超声溢流槽，清洗至无残酸，取出放入不锈钢盘中，将洗好的锗放入干燥箱中，设定加热温度为100℃～120℃，恒温2～3小时，冷却后取出；步骤二，装料：将清洗干燥后的高纯锗装入单晶炉内的坩埚中，然后将掺杂剂放在高纯锗间；步骤三，抽真空：启动控制系统开始抽真空，待漏率检验合格，设置氩气流量为5～60sltm/min；步骤四，加热：打开加热器，升温化料；步骤五，初步混合：当坩埚内的原料全部融化后控制坩埚转速为3～10转/分钟，以0.2～0.8转/分钟的速度提高转速，20~60分钟后，以0.5～2转/分钟的速度降低转速，如此反复3次及以上即达到掺杂元素在锗中的初步混合；步骤六，降温：降低炉温至939～948℃；步骤七，均匀混合：将籽晶放下接触锗熔体，将籽晶转速控制在5～20转/分钟，旋转方向与坩埚旋转方向相反，控制坩埚转速3～10转/分钟，以0.2～0.8转/分钟的速度提高转速，20～60分钟后，以0.5～2转/分钟的速度降低转速，如此反复3次及以上即达到掺杂元素在锗中的均匀混合。