[发明专利]一种硅料掺杂剂的加工工艺无效
申请号: | 201210410159.1 | 申请日: | 2012-10-24 |
公开(公告)号: | CN102877122A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 潘家明;何广川 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | C30B15/04 | 分类号: | C30B15/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅料掺杂剂的加工工艺,采用多晶铸锭炉完成铸造过程,显著提高了硅料掺杂剂的铸造效率,并降低了其铸造成本。本发明包括以下步骤:11)将原硅料和掺杂单质进行配料;12)将配好的原料装入铸锭炉内,将铸锭炉调至真空模式,并将配好的原料逐步加热到设定温度;13)将铸锭炉内的压力控制在0.4至0.8个大气压,并向其内充入氩气,然后将原料由设定温度逐步加热到熔化温度,待原料完全熔化后,逐步降低铸锭炉内温度,使液态的原料重新结晶,以形成硅料掺杂剂。本发明铸造的硅料掺杂剂的电阻率在0.001~0.01Ω·cm之间,且波动范围基本在0.005Ω·cm左右,不存在局部位置电阻率偏大或者偏小的现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 加工 工艺 | ||
【主权项】:
一种硅料掺杂剂的加工工艺,其特征在于,所述加工工艺包括以下步骤:11)将原硅料和掺杂单质进行配料;12)将配好的原料装入铸锭炉内,将铸锭炉调至真空模式,并将配好的原料逐步加热到设定温度;13)将铸锭炉内的压力控制在0.4至0.8个大气压,并向其内充入氩气,然后将原料由设定温度逐步加热到熔化温度,待原料完全熔化后,逐步降低铸锭炉内温度,使液态的原料重新结晶,以形成硅料掺杂剂。
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