[发明专利]陶瓷真空继电器改良结构有效
| 申请号： | 201210411009.2 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103779135A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 覃奀垚;贾冰冰;余佳;陈腾腾 | 申请（专利权）人： | 昆山国力真空电器有限公司 |
| 主分类号： | H01H33/66 | 分类号： | H01H33/66;H01H33/662 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215301 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种陶瓷真空继电器改良结构，包括陶瓷真空密封罩和设于该陶瓷真空密封罩内的动触点和静触点，在所述陶瓷真空密封罩和其内的动触点和静触点之间设有屏蔽罩，可有效提高继电器的电负载寿命，并不会对继电器性能产生不良影响；同时在陶瓷真空密封罩内设一台阶，并在台阶上设了一层金属层，可以方便的将屏蔽罩固定在陶瓷真空密封罩上。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 真空 继电器 改良 结构 | ||
【主权项】：
一种陶瓷真空继电器改良结构，包括陶瓷真空密封罩（1）和设于该陶瓷真空密封罩内的动触点和静触点，其特征在于：在所述陶瓷真空密封罩和其内的动触点和静触点之间设有屏蔽罩（2）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国力真空电器有限公司，未经昆山国力真空电器有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210411009.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
