[发明专利]一种掩膜版修复方法在审
| 申请号： | 201210413900.X | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103777463A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 吴苇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;G03F1/74 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种掩膜版修复方法，采用紫外光处理掩膜版的图形缺失修复后产生的halo残余缺陷，利用短波长高能量的紫外光，激发残余缺陷，使其短时间内分解，从而使得halo残余缺陷消失。并且，采用紫外光处理不会对掩膜版的相位层造成损坏，也就降低了处理的风险，同时能够避免残余缺陷在经过实际生产的大量过货使用而变得糟糕，大大延长了使用寿命，节省了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜版 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种掩膜版修复方法，其特征在于，包括：提供掩膜版；对所述掩膜版的缺陷区域进行图形填充；对图形填充后的掩膜版进行紫外光照射处理。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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