[发明专利]TEM样品的制备方法有效
| 申请号： | 201210414676.6 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103776669A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 段淑卿;陈柳;齐瑞娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TEM样品的制备方法，包括：提供进行离子束减薄之前的TEM样品；在所述TEM样品的待观测区域附近形成标识坑；对所述TEM样品进行离子束减薄，以逐渐扩大所述标识坑的范围，并在所述标识坑底部形成穿通所述TEM样品并逐渐扩大的洞口；当所述标识坑底部的洞口边缘到达所述待观测区域时，结束所述离子束减薄。因为所述标识坑的存在进而在离子束减薄过程中所述标识坑底部洞口的存在，使得本发明的TEM样品制备方法中，待观测区域可由标识坑和标识坑底部洞口进行定位，并使得离子束减薄过程可控，从而极大的增加了TEM样品的制备效率和成功率，降低了TEM检测的成本。 | ||
| 搜索关键词： | tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TEM样品的制备方法，包括：提供进行离子束减薄之前的TEM样品；在所述TEM样品的待观测区域附近形成标识坑；对所述TEM样品进行离子束减薄，以逐渐扩大所述标识坑的范围，并在所述标识坑底部形成穿通所述TEM样品并逐渐扩大的洞口；当所述标识坑底部的洞口边缘到达所述待观测区域时，结束所述离子束减薄。
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