[发明专利]发光二极管和制造该发光二极管的沉积装置

摘要

本发明提供了一种发光二极管和制造该发光二极管的沉积装置，该发光二极管包括：第一电极，其包括反射金属层和形成在所述反射金属层上的透明导电材料层；发射材料层，其形成在所述第一电极上并且包括用主体以及第一掺杂物和第二掺杂物形成的发光层；以及第二电极，其形成在所述发射材料层上并且是半透明电极，其中，与所述第一掺杂物的光致发光（PL）光谱的峰值对应的第一波长比与所述第一掺杂物的电致发光（EL）光谱的峰值对应的第二波长短，与所述第二掺杂物的PL光谱的峰值对应的第三波长比与所述第二掺杂物的EL光谱的峰值对应的第四波长长。

主权项

一种发光二极管，该发光二极管包括：第一电极，所述第一电极包括反射金属层和形成在所述反射金属层上的透明导电材料层；发射材料层，所述发射材料层形成在所述第一电极上并且包括用主体以及第一掺杂物和第二掺杂物形成的发光层；以及第二电极，所述第二电极形成在所述发射材料层上并且是半透明电极，其中，与所述第一掺杂物的光致发光（PL）光谱的峰值对应的第一波长比与所述第一掺杂物的电致发光（EL）光谱的峰值对应的第二波长短，并且与所述第二掺杂物的PL光谱的峰值对应的第三波长比与所述第二掺杂物的EL光谱的峰值对应的第四波长长。