[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210418548.9 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103794564A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李迪 | 申请（专利权）人： | 李迪 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a)提供衬底，所述衬底包括第一方向和第二方向；b)在所述衬底上形成栅堆叠，所述栅堆叠依次包括第一绝缘层和浮栅；c)在所述第一方向对浮栅进行刻蚀，使得所述浮栅的侧壁在第一方向上形成至少两个凹陷；d)在浮栅上淀积形成第二绝缘层和控制栅，所述第二绝缘层和控制栅在第一方向覆盖所述浮栅的侧面；e)在第二方向上对所述浮栅进行刻蚀，使得所述浮栅的侧壁在第二方向形成至少两个凹陷；f)在堆叠栅两侧形成源/漏区。相应的，本发明还提供了一种半导体结构。本发明可以降低相邻两列单元间的电容耦合，并且加强控制栅和浮栅之间的电容耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a)提供衬底(100)，所述衬底（100）包括第一方向和第二方向；b)在所述衬底(100)上形成栅堆叠，所述栅堆叠依次包括第一绝缘层（110）和浮栅；c)在所述第一方向对浮栅进行刻蚀，使得所述浮栅的侧壁在第一方向上形成至少两个凹陷；d)在浮栅上淀积形成第二绝缘层（170）和控制栅（180），所述第二绝缘层（170）和控制栅（180）在第一方向覆盖所述浮栅的侧面；e)在第二方向上对所述浮栅进行刻蚀，使得所述浮栅的侧壁在第二方向形成至少两个凹陷；f)在堆叠栅两侧形成源/漏区(310)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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