[发明专利]非挥发性存储器制造方法及其构造无效
| 申请号： | 201210422872.8 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103730424A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李文诚;陈宜秀;吴怡德 | 申请（专利权）人： | 宜扬科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非挥发性存储器制造方法，包含以下步骤：于一硅基板上间隔地形成多个间断式的隔离层，且根据每一隔离层与相邻的隔离层界定一漏区域，每一条隔离层具有切断该条隔离层的多个空隙，所述空隙在垂直于所述隔离层的方向上形成一共同的源区域，所述漏区域通过该源区域互相连通；依序于该硅基板上附着一穿隧介电层、一电荷捕捉层、一阻电层，及一栅层；形成堆叠而成的多个栅极结构；及于该硅基板上的每一漏区域形成一漏极接触窗，且于该源区域形成至少一源极接触窗。一种非挥发性存储器构造也被公开。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 制造 方法 及其 构造 | ||
【主权项】：
一种非挥发性存储器制造方法；其特征在于该非挥发性存储器制造方法包含： （A）于一硅基板上间隔地形成多个间断式的隔离层，且根据每一隔离层与相邻的隔离层分别界定一漏区域，其中每一条隔离层具有切断该条隔离层的多个空隙，所述空隙在垂直于所述隔离层的方向上形成一共同的源区域，所述漏区域通过该源区域互相连通； （B）依序于该硅基板上附着一穿隧介电层、一电荷捕捉层、一阻电层，及一栅层； （C）通过光阻屏蔽与蚀刻的图案化制程形成堆叠而成的多个栅极结构；及（D）于该硅基板上的每一漏区域形成一漏极接触窗，且于该硅基板上的该源区域形成至少一源极接触窗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
