[发明专利]基于多层闪存单元的存储装置及存储方法有效
| 申请号： | 201210423934.7 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102968389A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 吴祖顺 | 申请（专利权）人： | 记忆科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/08 | 分类号： | G06F12/08 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 刘健;黄韧敏 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于存储技术领域，提供了一种基于多层闪存单元的存储装置，包括闪存控制器以及由多层闪存单元组成的存储区，所述存储区包括第一逻辑分区和第二逻辑分区，所述第一逻辑分区用于存储数据，所述闪存控制器和所述第一逻辑分区进行数据传输时，所述第二逻辑分区作所述闪存控制器和第一逻辑分区之间的高速缓冲存储器。本发明还相应的提供一种通过上述装置实现的存储方法。借此，本发明可以有效的提高多层闪存单元存储装置的存储速度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 多层 闪存 单元 存储 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种基于多层闪存单元的存储装置，其特征在于，包括闪存控制器以及由多层闪存单元组成的存储区，所述存储区包括第一逻辑分区和第二逻辑分区，所述第一逻辑分区用于存储数据，所述闪存控制器和所述第一逻辑分区进行数据传输时，所述第二逻辑分区作所述闪存控制器和第一逻辑分区之间的高速缓冲存储器。
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