[发明专利]一种圆片级穿硅通孔TSV的制作方法

摘要

本发明涉及一种圆片级穿硅通孔TSV的制作方法，首先在硅片正反两面淀积氧化硅绝缘层，然后在正反两面的光刻胶上形成TSV图形，将TSV图形转移至硅片上；进行湿法腐蚀直至形成穿硅通孔；随后，湿法腐蚀掉硅片两面的氧化层；再次使用热氧化工艺在硅片正反两面以及TSV侧壁同时淀积一层氧化硅绝缘层；采用磁控溅射工艺在硅片的一面上沉积金属层TiW/Au。再在硅片的另一面同样通过溅射工艺沉积金属层TiW/Au；然后通过硅片的双面电镀工艺，整个TSV被金属层完全覆盖实现了双面导通。本发明与干法刻蚀的垂直侧壁形貌的TSV互连技术相比，该技术具有可靠性高，良品率高的等关键优势，并且由于湿法腐蚀出的TSV侧壁形貌呈斜坡状，非常有利于后续的薄膜沉积和电镀沉积，因此操作极为简单，成本低，适合于工业化生产。

主权项

一种圆片级穿硅通孔TSV的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1）提供一硅片；2）在该硅片正反两面淀积第一氧化硅绝缘层；3）在步骤2）形成的结构正反两面形成TSV图形，该TSV图形相互对应；4）以光刻胶作为掩膜，湿法腐蚀部分第一氧化硅绝缘层以露出硅片；5）将去除光刻胶后的硅片浸入腐蚀溶液中，通过对该硅片正反两面同时进行湿法腐蚀直至形成穿硅通孔TSV；6）湿法腐蚀掉所述硅片正反两面的第一氧化硅绝缘层；7）在硅片正反两面以及穿硅通孔TSV的侧壁淀积第二氧化硅绝缘层；8）然后在淀积第二氧化硅绝缘层的硅片正反两面以及穿硅通孔TSV的侧壁沉积粘附/种子层；使得两个粘附/种子层接触实现穿硅通孔TSV导通；9）对硅片的正反两面刻蚀部分粘附/种子层，露出所述第二氧化硅绝缘层；10）分别在步骤9）后露出的第二氧化硅绝缘层上安装芯片，通过打线键合或倒装焊工艺双面互连。