[发明专利]具有接地屏蔽结构的半导体器件有效
| 申请号： | 201210425591.8 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103794592A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 程仁豪;王西宁;刘凌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01F17/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有接地屏蔽结构的半导体器件。所述接地屏蔽结构包括：衬底；位于衬底表面的接地环；位于衬底表面、被接地环包围的接地屏蔽结构，其中，所述接地屏蔽结构包括：多个同轴的导电环及沿导电环的半径方向贯穿多个导电环的金属线，且金属线与接地环电连接；位于所述接地屏蔽结构和电子器件之间的；位于绝缘层上的电子器件。所述接地屏蔽结构能够有效降低电子器件的衬底损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 接地 屏蔽 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种具有接地屏蔽结构的半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于衬底表面的接地环；位于衬底表面、被接地环包围的接地屏蔽结构，其中，所述接地屏蔽结构包括：多个同轴的导电环及沿导电环的半径方向贯穿多个导电环的金属线，且金属线与接地环电连接；位于所述接地屏蔽结构和电子器件之间的；位于绝缘层上的电子器件。
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