[发明专利]一种Ni-Cr磁控溅射靶材的制备方法有效
申请号: | 201210425953.3 | 申请日: | 2012-10-31 |
公开(公告)号: | CN102922233A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 吴宇宁;王泽华;王刚;江少群;徐海斌 | 申请(专利权)人: | 南京达迈科技实业有限公司;河海大学 |
主分类号: | B23P15/00 | 分类号: | B23P15/00;C22C1/02;C22C19/05 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 211102 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种Ni-Cr磁控溅射靶材的制备方法,其靶材成分为80wt.%Ni和20wt.%Cr,通过真空熔炼、浇注、热锻、轧制、退火、机加工等工序制备,采用的原料是纯度为99.96%的电解镍,纯度为99.09%的金属铬,及少量稀土,其中稀土的组成为34.1wt.%La、65.74wt%Ce和少量杂质,通过在熔炼过程中添加0.05~0.4wt.%的稀土元素,并改变锻造形变量和轧制形变量(47.4~80.0%),获得致密度高、晶粒尺寸可在不大于80μm范围内调节且大小分布均匀的高质量Ni-Cr靶。使用本发明制备的Ni-Cr靶材,能有效提高Ni-Cr薄膜的质量以及薄膜沉积速率,该靶材可用于制作薄膜电阻、薄膜电阻应变计、太阳能光谱选择性吸收膜、低辐射镀膜玻璃等,其产品可广泛的应用于电子、能源、建筑等工业领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 ni cr 磁控溅射 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种Ni‑Cr磁控溅射靶材的制备方法,其方法步骤如下:(1)原料准备:取纯度为99.96%的电解镍、纯度为99.09%的金属铬、稀土0.52kg;(2)真空熔炼:去除镍和铬板材表面污垢及氧化物并干燥称重,按Ni和Cr的重量比为4:1,称取电解镍103.76kg,取金属铬26.24kg,熔炼温度为1450‑1550℃,熔炼时间为60min,熔炼过程中环境真空度低于8Pa,出炉前在真空和氩保护气氛下加入0.05~0.4wt.%稀土元素;(3)浇注:在真空和氩气保护气氛下进行浇注,浇注后40min脱模,切除冒口,去除表面氧化皮,加工后的铸锭呈一圆台,小头直径为130~135mm,大头直径为160mm,高度为520mm;(4)热锻:采用1吨自由锻空气锤对铸锭进行锻造,始锻温度为1275℃,终锻温度为1000℃,铸锭加热到始锻温度后保温30min,铸锭最终热锻成宽120mm,厚度为38‑100mm的板;(5)轧制:对热锻坯料表面清洗后进行轧制,使其厚度变为20mm,宽度120mm,轧制形变量为47.4%~80%;(6)退火:820℃保温60min;(7)机加工:进行机加工,制成所需尺寸的靶材。
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