[发明专利]半导体电容及具有该半导体电容的半导体装置有效
| 申请号： | 201210426774.1 | 申请日： | 2012-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103794655B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 杨俊平;张大鹏 | 申请（专利权）人： | 天钰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 徐丽昕 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体电容及具有该半导体电容的半导体装置。该半导体电容包括：下电极板，该下电极板包括电容井区及设置于该电容井区上的扩散区，该电容井区与该扩散区均具有第一导电型，且该扩散区的掺杂浓度高于该电容井区的掺杂浓度；绝缘层，该绝缘层设置于该下电极板上；及上电极板，该上电极板设置于该绝缘层上；其中，该电容井区包括第一子井区，该第一子井区至少为该电容井区的部分区域，该第一子井区的掺杂浓度达到一预定掺杂浓度，以使得该半导体电容的最大电容值与最小电容值之差值占该最大电容值的百分比不超过70%。该半导体电容以及具有该半导体电容的半导体装置的工作性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电容 具有 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体电容，其包括:下电极板，该下电极板包括电容井区及设置于该电容井区上的扩散区，该电容井区与该扩散区均具有第一导电型，且该扩散区的掺杂浓度高于该电容井区的掺杂浓度；绝缘层，该绝缘层设置于该下电极板上；及上电极板，该上电极板设置于该绝缘层上；其特征在于：该电容井区包括第一子井区，该第一子井区至少为该电容井区的部分区域，该电容井区进一步包括第二子井区，该第一子井区的掺杂浓度大于该第二子井区的掺杂浓度；该第二子井区围绕该第一子井区设置；该下电极板包括二扩散区，每一扩散区与该第二子井区相接触，且该二扩散区通过该第一子井区相间隔；该第一子井区的掺杂浓度达到一预定掺杂浓度，以使得该半导体电容工作在积累区时的最大电容值与工作在反转区时的最小电容值之差值占该半导体电容工作在积累区时的最大电容值的百分比不超过70％。
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