[发明专利]一种低方阻晶体硅电池的扩散工艺

摘要

本发明公开了一种低方阻晶体硅电池的扩散工艺。本工艺采用常规扩散炉，通过改变扩散掺杂浓度分布，制备出比高方阻晶体硅电池效率高的低方阻电池。该种扩散工艺同样可以降低发射极的暗饱和电流及前表面复合速率，有利于提高短路电路和开路电压，而且不会增加其他电池制备工艺，是一种极具开发价值的扩散技术。

主权项

一种低方阻晶体硅电池的扩散工艺，所述工艺在扩散炉中实现，包括升温扩散步骤，其特征在于，所述升温扩散步骤分如下三步进行：1）低温预扩散，在硅片表面沉积一层磷源；2）升温扩散，促使硅片表面的磷成为活性元素并扩散到硅片内；3）再次升温扩散，提高扩散掺杂深度。