[发明专利]元件基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201210431820.7 | 申请日： | 2012-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102969251A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 王铮亮;洪仕馨;胡克龙 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/13 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种元件基板及其制造方法，该制造方法包括以下步骤。首先，提供基板并于基板上形成图案化结构，其中图案化结构包括多个开口。之后，于图案化结构上形成保护层，其中保护层不会填满图案化结构的这些开口，以使保护层与图案化结构之间具有间隙。随后，于保护层上形成元件层。本发明的元件基板的保护层与图案化结构的开口之间具有间隙，这些间隙有助于减缓元件基板上的应力。再者，这些间隙有助于增加元件基板的弯曲特性，并且提供元件基板具有良好的阻水阻氧特性。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种元件基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；于该基板上形成一图案化结构，该图案化结构包括多个开口；于该图案化结构上形成一保护层，其中该保护层不会填满该图案化结构的该些开口，以使该保护层与该图案化结构之间具有未填满的间隙；以及于该保护层上形成一元件层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
