[发明专利]半导体组件及其制法有效
| 申请号： | 201210433996.6 | 申请日： | 2012-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103094233A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 陈鋐菖 | 申请（专利权）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体组件及其制法，该半导体组件包括：透明基板；形成于该透明基板上且具有金属氧化物层的叠层结构，其中，该叠层结构的侧壁外露出部分金属氧化物层；多个导脚，其中各该导脚间隔形成于该叠层结构上并延伸至其侧壁上；形成于该外露的金属氧化物层上的绝缘膜；形成于该导脚上的金属膜；以及覆盖于该金属膜、叠层结构表面及绝缘膜上的拒焊层，通过绝缘膜避免相邻导脚产生短路现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 组件 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体组件，其特征在于，其包括：透明基板；叠层结构，其形成于该透明基板上，该叠层结构包括依序形成于该透明基板上的金属氧化物层、胶层及半导体层，且该叠层结构具有多个沟槽，以令该金属氧化物层外露于该沟槽的槽壁；多个导脚，其间隔形成于该叠层结构的顶面上并延伸至该沟槽的槽壁上；绝缘膜，其覆盖于外露的该金属氧化物层上；金属膜，其形成于各该导脚上；以及拒焊层，其形成于该金属膜、该叠层结构的顶面与该绝缘膜上及该沟槽中，且该叠层结构的顶面的金属膜上的拒焊层形成有多个开孔，以外露各该导脚上的金属膜的部分。
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