[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210436643.1 | 申请日： | 2012-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103811543B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 许淼;朱慧珑;梁擎擎;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括：多个鳍片，在衬底上沿第一方向延伸；顶栅极，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片；源漏区，位于顶栅极两侧的鳍片上；沟道区，位于源漏区之间；体栅极，位于多个鳍片之间并且位于顶栅极下方，沿第二方向延伸。依照本发明的半导体器件及其制造方法，依照本发明的半导体器件及其制造方法，采用额外的体栅极，控制了源区和漏区之间由于鳍片底部造成的泄漏电流，减小了结泄漏电流同时还减小了结电容，提高了器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：多个鳍片，在衬底上沿第一方向延伸；顶栅极，沿第二方向延伸并且包围了每个鳍片的顶部和侧面；源漏区，位于顶栅极两侧的鳍片上；沟道区，位于源漏区之间；体栅极，位于多个鳍片之间并且位于顶栅极下方，沿第二方向延伸，体栅极的顶部低于多个鳍片的顶部。
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