[发明专利]抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201210440187.8 | 申请日： | 2012-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN102938418A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 黄如;谭斐;安霞;黄良喜;武唯康;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 张肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括：衬底、埋氧层、半导体体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙、轻掺杂漏LDD区以及防泄漏区；防泄漏区凹陷在埋氧层内，并且位于半导体体区之下。本发明光刻SOI器件的埋氧层形成凹陷区，外延生长半导体材料并对其分区域进行掺杂，形成防泄漏区，位于中间的第二部分为重掺杂区，不易被辐射在埋氧形成的带正电的陷阱电荷反型，可以有效地抑制辐射引起的SOI器件的背栅泄漏电流，增加了SOI器件在辐射环境下的可靠性。本发明只需要在常规SOI器件的制备过程中引入光刻、外延及离子注入掺杂等常规工艺方法，因此，工艺流程简单且与现有的工艺技术兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 辐射 引起 泄漏 电流 soi 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件，所述包括：衬底（1）、埋氧层（2）、半导体体区（3）、栅区（5）、源区和漏区（6）、栅侧墙（7）和轻掺杂漏LDD区（8）；其中，埋氧层（2）位于衬底（1）之上，半导体体区（3）及源区和漏区6位于埋氧层（2）之上，并且半导体体区（3）位于源区和漏区（6）之间，LDD区（8）位于半导体体区（3）的两侧顶端，栅区（5）位于半导体体区（3）之上，两个栅侧墙（7）分别位于栅区（5）的两侧并在LDD区（8）之上，其特征在于，所述SOI器件进一步包括防泄漏区，所述防泄漏区凹陷在埋氧层（2）内，并且位于半导体体区（3）之下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210440187.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种纱窗清洁器
- 下一篇：一种安全型耐火中高压电缆制造方法
- 同类专利
- 专利分类
