[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201210444471.2 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102915982A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 林仲珉;陶玉娟 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：半导体基底，所述半导体基底具有若干焊盘；位于所述焊盘上的柱状电极，所述柱状电极包括本体和位于所述本体中的凹槽，凹槽的开口与柱状电极的顶部表面重合；位于所述柱状电极上的焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部上的金属凸头和填充满所述凹槽的填充部。焊球与柱状电极构成类似插销的结构，提高了焊球与柱状电极之间的结合力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基底，所述半导体基底具有若干焊盘；位于所述焊盘上的柱状电极，所述柱状电极包括本体和位于所述本体中的凹槽，凹槽的开口与柱状电极的顶部表面重合；位于所述柱状电极上的焊球，所述焊球包括位于柱状电极顶部上的金属凸头和填充满所述凹槽的填充部。
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