[发明专利]一种结型场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210445716.3 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103811353A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/337 | 分类号： | H01L21/337;H01L21/28;H01L29/808;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种结型场效应晶体管及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成介质层和硬掩膜层；图案化所述介质层和所述硬掩膜层；在所述衬底上外延生长第一半导体材料层并进行源漏注入，以形成源漏区；氧化所述半导体材料层的表面，以形成氧化物；去除剩余的所述硬掩膜层，以露出所述介质层；在所述介质层上外延生长第二半导体材料层并平坦化；回蚀刻所述第二半导体材料层，以形成凹槽，然后进行沟道注入，以形成沟道；在所述凹槽中外延生长第三半导体材料层并平坦化，以形成栅极；对所述栅极进行离子注入，以形成不含底栅的结型场效应晶体管。本发明所述制备方法更加简单、容易控制，可以进一步提高器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种结型场效应晶体管的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成介质层和硬掩膜层；图案化所述介质层和所述硬掩膜层；在所述衬底上外延生长第一半导体材料层并进行源漏注入，以形成源漏区；氧化所述半导体材料层的表面，以形成氧化物；去除剩余的所述硬掩膜层，以露出所述介质层；在所述介质层上外延生长第二半导体材料层并平坦化；回蚀刻所述第二半导体材料层，以形成凹槽，然后进行沟道注入，以形成沟道；在所述凹槽中外延生长第三半导体材料层并平坦化，以形成栅极；对所述栅极进行离子注入，以形成不含底栅的结型场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
