[发明专利]基板处理装置无效
| 申请号： | 201210445846.7 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103107058A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 花轮健一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/24 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置（100），不易产生匹配器和输送线路的发热和功率损耗，且不易产生由匹配器和输送线路的组装的差异引起的阻抗的变动所导致的电流差，其包括：产生高频电力的高频电源（6）；等离子体生成电极（2），被从高频电源（6）供给高频电力，用于生成等离子体；单一的匹配器（7），设置在高频电源（6）与等离子体生成电极（2）之间，使传送路径（9）的阻抗与负载的阻抗匹配；和阻抗调整电路（8），设置在匹配器（7）与等离子体生成电极（2）之间，调整它们之间的阻抗，匹配器（7）将等离子体和阻抗调整电路（8）作为一个负载取得阻抗的匹配，利用阻抗调整电路（8）对阻抗进行调整，将匹配器的输出阻抗调整为比等离子体的阻抗高的规定值。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其为利用通过高频电力产生的等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置，所述基板处理装置的特征在于，包括：产生高频电力的高频电源；等离子体生成电极，其用于被从所述高频电源供给高频电力而生成等离子体；单一的匹配器，其设置在所述高频电源与所述等离子体生成电极之间，使传送路径的阻抗与负载的阻抗匹配；和阻抗调整电路，其设置在所述匹配器与所述等离子体生成电极之间，对它们之间的阻抗进行调整，所述匹配器将等离子体和所述阻抗调整电路作为一个负载取得阻抗的匹配，通过利用所述阻抗调整电路对阻抗进行调整，将所述匹配器的输出阻抗调整为比等离子体的阻抗高的规定的值。
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