[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件，包括包括由多个沟槽隔开的多个有源区的衬底；形成于所述有源区上方的多个隧道绝缘层图案；形成于所述隧道绝缘膜图案上方的多个导电膜图案；形成于所述沟槽的侧壁和底面上的多个第一隔离层；以及形成于所述导电膜图案之间的多个第二隔离层。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括由多个沟槽分割开的多个有源区；多个隧道绝缘层图案，所述多个隧道绝缘层图案形成于所述有源区上方；多个导电膜图案，所述多个导电膜图案形成于所述隧道绝缘层图案上方；多个第一隔离层，所述多个第一隔离层形成于所述沟槽的侧壁和底面上；以及多个第二隔离层，所述多个第二隔离层形成于所述导电膜图案之间，其中，所述多个第一隔离层和第二隔离层中的每个第一隔离层和第二隔离层被形成为在由所述第一隔离层和第二隔离层包围的空间内产生气隙，以及其中，所述气隙朝向所述隧道绝缘层图案中的每个隧道绝缘层图案的侧壁延伸以与所述第一隔离层的顶表面相叠。