[发明专利]半导体基片的制造工艺方法

摘要

本发明公开了半导体基片的制造工艺方法，包括：半导体器件在基片正面通过硅通孔（TSV）连接到硅基片的背面，硅通孔刻蚀，填充导电介质，然后通过背面研磨使TSV的导电介质接近暴露或轻微暴露，然后通过注入或者其他工艺方法在硅片背面表面到TSV导电介质之间形成重掺杂以形成欧姆接触，最后在硅片背面表面形成背面金属层，实现硅片背面金属和硅片正面器件的导电接触。较背面研磨使TSV导电介质直接暴露，然后蒸镀金属的传统方法，本发明方法可以在扩大工艺窗口的同时克服背面金属蒸镀工艺的台阶覆盖性的局限，解决了连接电阻高，均一性差的问题，提高了连接的可靠性。

主权项

一种半导体基片的制造工艺方法，其特征在于，其工艺步骤包括：1)准备半导体基片，并完成器件和互连工艺以及用于连接背面金属的通孔工艺；2)对基片背面进行研磨，使通孔不要露出；3)对基片背面进行掺杂注入，并进行激活，掺杂区域和通孔底部有重叠并形成欧姆接触；4)在基片背面淀积金属层。