[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

摘要

本发明公开了一种半导体存储器件及其操作方法，在所述半导体存储器件及其操作方法中，包括存储器单元的存储器块划分成存储器组。在编程操作期间，施加到与每个存储器组中所包括的存储器单元相耦接的位线的位线电压的电平根据行译码器与每个存储器组之间的距离而改变。可以改善半导体存储器件中的存储器单元的阈值电压分布特性而不使编程性能恶化。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：存储器块，所述存储器块具有存储器组，每个存储器组包括与字线耦接的单元串；行译码器，所述行译码器被配置成在编程操作期间将编程电压施加到选中的字线；以及页缓冲器电路，所述页缓冲器电路被配置成：包括响应于连接信号而分别连接至位线的感测节点，以及响应于预充电信号而对所述感测节点预充电；以及控制电路，所述控制电路被配置成：通过改变所述连接信号的电平而在编程操作期间将不同的位线电压施加到位线，其中，所述位线电压的电平根据所述行译码器与包括编程目标单元的存储器组之间的距离而改变，以及其中，所述位线电压中的每个位线电压具有负电压电平。