[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201210460697.1 | 申请日： | 2012-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103578538B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 朴成勋;车载元 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 石卓琼,俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器件及其操作方法，所述半导体存储器件包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个页，其中，所述多个页中的每个包括指示数据是否储存在相应页中的至少一个标志单元；以及外围电路，所述外围电路被配置成响应于擦除请求来从选中的存储块的标志单元中读取数据，并且基于标志单元的数据而省略对选中的存储块的擦除操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储块，每个存储块包括多个页，其中，所述多个页中的每个页包括指示数据是否储存在相应页中的至少一个标志单元；以及外围电路，所述外围电路被配置成响应于擦除请求来从选中的存储块的标志单元中读取数据，并且基于所述标志单元的数据而省略对所述选中的存储块的擦除操作，其中，当在接收到所述擦除请求之前对所述多个页中的每个页执行编程操作，相应标志单元被编程为具有编程状态，以及其中，所述外围电路被配置成当所述选中的存储块的所述标志单元中的至少一个处于编程状态时执行擦除操作，以及当所述选中的存储块的所述标志单元处于擦除状态时省略所述擦除操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210460697.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：能力信息处理方法、装置及基站
- 下一篇：堆叠膜阈构件、装置和制造方法
