[发明专利]单晶测试样片腐蚀溶液及腐蚀方法无效
| 申请号： | 201210462274.3 | 申请日： | 2012-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102925898A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 周聪;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/32 | 分类号： | C23F1/32;G01N1/32 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 赵青 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明氢氧化钠溶液，所述氢氧化钠溶液的浓度为6%。本发明单晶测试样片腐蚀溶液及腐蚀方法将腐蚀单晶测试样片的化学药液用碱溶液来代替混酸溶液。碱溶液与硅反应时生成物为硅酸盐及氢气，硅酸盐与氢气对环境基本无影响，且反应时产生的氢气对操作人员也没什么危害。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 样片 腐蚀 溶液 方法 | ||
【主权项】：
单晶测试样片腐蚀溶液，其特征在于，包括：氢氧化钠溶液，所述氢氧化钠溶液的浓度为6%。
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