[发明专利]边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提供了一种边缘场切换模式液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。液晶显示装置可以包括形成在基板上的选通线；与选通线交叉以限定像素区域的数据线；形成在选通线与数据线的交叉处的薄膜晶体管（TFT）；有机绝缘层，其形成为具有用于暴露TFT的开口部分；公共电极和辅助电极图案，该公共电极具有大的面积并且形成在有机绝缘层的上部，并且辅助电极图案通过开口部分连接到TFT；钝化层，其形成为暴露连接到TFT的辅助电极图案；以及像素电极，其通过暴露的辅助电极图案电连接到TFT。

主权项

一种用于液晶显示装置的阵列基板，所述阵列基板包括：选通线，所述选通线在一个方向上形成在所述基板的表面上；数据线，所述数据线与所述选通线交叉以限定像素区域；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在所述选通线与所述数据线的交叉处；有机绝缘层，所述有机绝缘层形成在所述基板的包括所述薄膜晶体管的整个表面上，并且具有用于暴露所述薄膜晶体管的开口部分；公共电极和辅助电极图案，所述公共电极具有大的面积并且形成在所述有机绝缘层的上部，并且所述辅助电极图案通过所述开口部分连接到所述薄膜晶体管；钝化层，所述钝化层形成在所述基板的包括所述公共电极和所述辅助电极图案的整个表面上，并且暴露连接到所述薄膜晶体管的所述辅助电极图案；以及多个像素电极，所述多个像素电极形成在所述钝化层的上部，通过暴露的辅助电极图案电连接到所述薄膜晶体管，并且与所述公共电极交叠。