[发明专利]一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法

摘要

本发明涉及一种应用于透明玻璃的分层氮化硅SiNxOy成膜方法，其特征在于，以透明材料为基板材料，采用沉积薄膜的方法在基板材料表面沉积两层SiO2膜层和一层SiNxOy膜层；通过SiNxOy层和SiO2层光学膜系配比设计，经分层氮化硅SiNxOy的成膜，使透明玻璃成品的透过率提高、反射率减小，与现有技术相比，本发明提供成膜方法对透明材质达到的提高透过率、减少反射作用，而使采用更廉价，更方便的含元素Si的靶材进行的含有的SiNxOy层和SiO2层膜系配比设计对透明材质达到的减少反射作用，主要用于触摸屏、薄膜电池、薄膜开关光电行业。

主权项

一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法，其特征在于，以透明材料为基板材料，采用沉积薄膜的方法在基板材料表面沉积两层SiO2 膜层和一层SiNxOy膜层；通过SiNxOy层和SiO2 层光学膜系配比设计，经分层SiNxOy的成膜，使透明玻璃成品的透过率提高、反射率减小，所述方法包括如下次序步骤： 步骤一、选取素透明材质基板或带透明导电膜层的透明材质为基板材料；步骤二、在基板材料表面沉积第一SiO2  膜层、第二SiO2 膜层和SiNxOy膜层，根据在基板材料沉积三个膜层的顺序不同，形成三种膜层结构的产品，其中：第一种膜层结构的产品的沉积膜层的顺序为：ａ)首先在基板材料表面沉积第一SiO2  膜层，厚50～400nm，镀膜工艺条件电压300V～500V，通入工艺气体包含N2，O2，Ar， SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间；ｂ)在经过镀膜工艺生成的第一SiO2膜层表面沉积第二SiO2膜层，膜厚50～400nm，镀膜工艺条件电压300V～500V，通入工艺气体包含N2，O2，Ar，SiO2 膜层单层折射率为1.6～2.1之间；ｃ)在经过镀膜工艺生成的第二SiO2膜层表面沉积SiNxOy膜层，厚度为30～500nm，通入工艺气体包含N2，O2，Ar；SiNxOy膜层单层折射率为1.6～2.1之间，三层膜层综合折射率为1.5～2.0；x>0,00,00,0

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