[发明专利]具有沟槽场板的FinFET有效
| 申请号： | 201210469964.1 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN103545372A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 伍震威;周学良;苏柏智;柳瑞兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成电路器件，该集成电路器件包括：具有横向紧邻的第一掺杂类型的主体部分和第二掺杂类型的漂移区部分的衬垫层；形成在衬垫层中的沟槽，该沟槽延伸穿过主体部分和漂移区部分的界面；沿着主体部分和漂移区部分的界面形成在沟槽中和衬垫层的顶面上方的栅极；形成在位于栅极的相对侧的沟槽中的氧化物；以及内嵌在位于栅极相对的每一侧的氧化物中的场板。本发明还提供了具有沟槽场板的FinFET。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 finfet | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：衬垫层，具有横向紧邻的第一掺杂类型的主体部分和第二掺杂类型的漂移区部分；沟槽，形成在所述衬垫层中，所述沟槽延伸穿过所述主体部分和所述漂移区部分的界面；栅极，沿着所述主体部分和所述漂移区部分的所述界面形成在所述沟槽中和所述衬垫层的顶面上方；介电材料，形成在所述栅极的相对侧的所述沟槽中；以及场板，内嵌在所述栅极的相对侧中的一侧的所述介电材料中。
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