[发明专利]发光二极管晶圆切割方法有效
| 申请号： | 201210472442.7 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102990229A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 高昆;叶树铃;庄昌辉;陈红;邴虹;李瑜;高云峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市大族激光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;H01L21/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管晶圆切割方法，包括以下步骤：在发光二极管晶圆的衬底背面镀全方位反射镜层；对全方位反射镜层进行紫外激光切割，切割深度大于或等于全方位反射镜层的厚度；在紫外激光切割形成的沟道内进行隐形激光切割。本发明通过对发光二极管晶圆镀全方位反射镜层，可提高发光二极管晶圆封装后的发光亮度，对发光二极管晶圆镀有全方位反射镜层的一面进行紫外激光切割后在形成的沟道中对发光二极管晶圆内部进行隐形激光切割，将激光汇聚于发光二极管晶圆内部，在发光二极管晶圆内部形成变质层，抑制加工碎屑的产生，在发光二极管晶圆总发光亮度不变的情况下进一步提高了发光二极管晶圆封装后的发光亮度，减小亮度衰减。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶圆切割方法，其特征在于，包括以下步骤：在发光二极管晶圆的衬底背面镀全方位反射镜层；对所述全方位反射镜层进行紫外激光切割，切割深度大于或等于所述全方位反射镜层的厚度；在所述紫外激光切割形成的沟道内进行隐形激光切割。
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