[发明专利]一种黑色异质结晶硅电池及其制造方法

摘要

本发明公开了一种黑色异质结晶硅电池，依次包括第一金属电极、第一导电薄膜、P型非晶硅层、第一本征非晶硅层、硅片、第二本征非晶硅层、N型非晶硅层、第二导电薄膜、第二金属电极；所述第一导电薄膜和第二导电薄膜为多晶掺硼ZnO薄膜。制造方法包括步骤：硅片表面预处理；双面沉积的本征非晶硅层镀膜；正面沉积P型非晶硅层，反面沉积N型非晶硅层；电池片正、反两面生长ZnO薄膜，正、反两面导电薄膜上丝网印刷金属栅线。本发明采用抛光的表面平整的硅片，以ZnO薄膜的金字塔结构实现陷光，使电池的陷光结构和电池表面钝化可以分别实现最大化，从而提高电池的光电转化效率。

主权项

一种黑色异质结晶硅电池，其特征在于：依次包括第一金属电极、第一导电薄膜、P型非晶硅层、第一本征非晶硅层、硅片、第二本征非晶硅层、N型非晶硅层、第二导电薄膜、第二金属电极；所述第一导电薄膜和第二导电薄膜为多晶掺硼ZnO薄膜。