[发明专利]半导体装置、半导体装置制造方法及电子设备

摘要

本发明涉及半导体装置、半导体装置制造方法及电子设备。所述半导体装置制造方法包括锚定工艺，所述锚定工艺用于形成阻挡金属膜并利用溅射气体来执行物理蚀刻。所述锚定工艺是在与第一开口的下部相连的配线及与第二开口的下部相连的配线上同时被执行的。所述第一开口用作贯穿连接孔，而所述第二开口用作具有与所述贯穿连接孔的纵横比不同的纵横比的连接孔。所述第一开口及所述第二开口是形成于通过将第一半导体基板与第二半导体基板相互接合而得到的半导体基板中的开口。本技术能够被应用于例如固体摄像装置等半导体装置。根据本发明，能够执行对于与纵横比彼此不同的多个孔的下部相连的各配线而言最佳的处理。

主权项

1.一种半导体装置制造方法，所述制造方法包括第一工艺，所述第一工艺形成阻挡金属膜并且在形成所述阻挡金属膜之前利用溅射气体来执行物理蚀刻，所述第一工艺是在与第一开口的下部相连的配线及与第二开口的下部相连的配线上同时执行的工艺，所述第一开口及所述第二开口形成于通过将第一半导体基板与第二半导体基板相互接合而得到的半导体基板中，所述第一开口和所述第二开口作为具有彼此不同的纵横比的第一开口和第二开口，在形成所述阻挡金属膜且执行所述物理蚀刻之后，执行籽晶膜形成工艺，以在所述第一开口和所述第二开口的表面上形成籽晶层，其中，所述方法还包括在所述第一工艺之前对所述第一开口和所述第二开口执行氢气清洁工艺。