[发明专利]膜形成装置、膜形成方法和要用于它们的掩模单元无效
申请号: | 201210486596.1 | 申请日: | 2012-11-26 |
公开(公告)号: | CN103137901A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 石川信行 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;C23C14/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李晓芳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了膜形成装置、使用膜形成装置的膜形成方法、和要用在膜形成装置和膜形成方法中的掩模单元。所述膜形成装置用于制造具有高分辨率和高产量的诸如有机电致发光装置之类的装置。所述膜形成装置包括:多个掩模单元保持部分,用于分别支持多个掩模单元;多个对准机构,根据所述多个掩模单元保持部分被设置;和气相沉积源,其中通过所述多个对准机构将所述多个掩模单元相对于一个基板一个一个地对准和布置,然后执行膜形成。 | ||
搜索关键词: | 形成 装置 方法 用于 它们 单元 | ||
【主权项】:
一种膜形成装置,包括:多个掩模单元保持部分,用于分别支持多个掩模单元;多个对准机构,根据所述多个掩模单元保持部分被设置;和气相沉积源,其中通过所述多个对准机构将所述多个掩模单元相对于一个基板一个一个地对准和布置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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