[发明专利]电磁屏蔽面板及其制备方法和显示器无效
| 申请号： | 201210486998.1 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102963076A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 郑芳平;张迅;易伟华 | 申请（专利权）人： | 江西沃格光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B32B17/06 | 分类号： | B32B17/06;B32B9/04;C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06;G09F9/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 338004 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电磁屏蔽面板，包括玻璃基底、设于玻璃基底一侧表面上的ITO层、设于ITO层上的第一SiO2层、设于玻璃基底另一侧表面上的Nb2O5层及设于Nb2O5层上的第二SiO2层。该电磁屏蔽面板由ITO层与第一SiO2层构成的两层减反射膜系、玻璃基底及Nb2O5层第二SiO2层构成的两层减反射膜系构成，形成一种双面高透防电磁屏蔽的电磁屏蔽面板；ITO层与第一SiO2层构成的两层减反射膜系与Nb2O5层第二SiO2层构成的两层减反射膜系协同作用，从而使得电磁屏蔽面板具有高电磁屏蔽的效果和高透射率等优点。此外，本发明还提供一种电磁屏蔽面板的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁 屏蔽 面板 及其 制备 方法 显示器 | ||
【主权项】：
一种电磁屏蔽面板，其特征在于，包括玻璃基底、设于所述玻璃基底一侧表面的ITO层、设于所述ITO层上的第一SiO2层、设于所述玻璃基底另一侧表面的Nb2O5层及设于所述Nb2O5层上的第二SiO2层。
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