[发明专利]半导体存储器件

摘要

本发明涉及半导体存储器件。在构成SRAM的第一存取晶体管和第一位线之间设置具有电阻变化层的第一ReRAM，并且在第二存取晶体管和第二位线之间设置具有电阻变化层的第二ReRAM。当SRAM的正常操作时间段结束时在第一存储节点处保持低电势（L=0V）并且在第二存储节点处保持高电势（H=1.5V）时，第一ReRAM单元被设置成导通状态（ON）并且第二ReRAM单元被设置成截止状态（OFF）；因此，SRAM保留的数据被写入ReRAM单元。当SRAM再次返回正常操作时，写入回与存储节点对应的数据并且ReRAM单元都被设置成导通状态（重新设置）。

主权项

一种半导体存储器件，包括：（a1）第一晶体管，所述第一晶体管耦合在电源节点和第一节点之间；（a2）第二晶体管，所述第二晶体管耦合在所述第一节点和低电势节点之间；（a3）第三晶体管，所述第三晶体管耦合在所述电源节点和第二节点之间；（a4）第四晶体管，所述第四晶体管耦合在所述第二节点和所述低电势节点之间；（a5）第五晶体管，所述第五晶体管的一端耦合到所述第一节点；（a6）第六晶体管，所述第六晶体管的一端耦合到所述第二节点；（b1）第一电阻变化层，所述第一电阻变化层耦合在所述第五晶体管的另一端和第一位线之间；以及（b2）第二电阻变化层，所述第二电阻变化层耦合在所述第六晶体管的另一端和第二位线之间。