[发明专利]硅通孔的射频测试结构及寄生提取方法

摘要

本发明公开了一种硅通孔的射频测试结构，由测试结构一和开路去嵌结构二组成。测试结构一包括GSG焊盘结构的端口一和端口二，端口一和二的信号端和通过顶层金属一短路连接，被测试硅通孔设置于端口一和二的信号端之间，被测试硅通孔的顶部和顶层金属一连接、底部和背面金属二连接；端口一和二的地端都分别通过接地硅通孔阵列和背面金属二相连。开路去嵌结构二和测试结构一去除了顶层金属一和被测试硅通孔后的结构相同。本发明还公开了一种硅通孔的射频测试结构的寄生提取方法。本发明能提高硅通孔的寄生电阻和寄生电感的测试的准确性，能减少测试结构的面积，降低工艺成本。

主权项

一种硅通孔的射频测试结构，其特征在于：射频测试结构由测试结构一和开路去嵌结构二组成；所述测试结构一包括端口一和端口二，所述端口一和所述端口二都分别由一个地‑信号‑地焊盘组成，所述端口一的信号端和两个地端的距离大于等于150微米，所述端口二一的信号端和两个地端的距离大于等于150微米；所述端口一的信号端和所述端口二的信号端通过顶层金属一短路连接，被测试硅通孔设置于所述端口一的信号端和所述端口二的信号端之间，所述被测试硅通孔的顶部和所述顶层金属一连接、所述被测试硅通孔的底部和形成于硅片背面的背面金属二连接；所述端口一和所述端口二的各所述地端都分别通过一接地硅通孔阵列和所述背面金属二相连；所述开路去嵌结构二和所述测试结构一去除了所述顶层金属一和所述被测试硅通孔后的结构相同。