[发明专利]紫外半导体发光器件有效
| 申请号： | 201210488183.7 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103137806B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 金载焄 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 顾晋伟,全万志 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种紫外半导体发光器件，其包括第一导电半导体层；在第一导电半导体层下方的有源层；在有源层下方的第一反射层；以及在第一反射层下方的第二导电半导体层。第一反射层包括多个化合物半导体层。化合物半导体层包括至少两种半导体材料。所述至少两种半导体材料的含量彼此不同。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种紫外发光器件，包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层下方的有源层；在所述有源层下方的第一反射层；以及在所述第一反射层下方的第二导电半导体层，其中所述第一反射层包括多个第一层和多个第二层，其中所述第一层和第二层包括具有不同的Al组成的至少两种化合物半导体，其中所述至少两种化合物半导体的含量彼此不同，其中所述第一反射层的最下层和最上层具有两个具有相同物质含量的第一层，其中所述第一反射层的所述最下层接触所述第二导电半导体层，并且所述第一反射层的所述最上层接触所述有源层，以及其中所述第一反射层的最下层与所述有源层的最上层是同一层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210488183.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
