[发明专利]MOSFET的等效网络及仿真方法有效

专利信息
申请号: 201210488418.2 申请日: 2012-11-26
公开(公告)号: CN103838896B 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 武洁 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种MOSFET的等效网络及仿真方法,高压MOS或者LDMOS等高压器件由于工作在高压大电流的运行状态下,器件自身发热比较明显,传统的SPICE BSIM3、BSIM4等仿真模型并不包含器件的热效应仿真,本发明基于传统的BSIM模型,增加电压控制电压源、电流控制电流源及外接电阻组成网络来精确仿真器件的自发热效应,提高了仿真的精确度,缩短器件设计周期。
搜索关键词: mosfet 等效 网络 仿真 方法
【主权项】:
一种MOSFET的等效网络,其特征在于:所述MOSFET仿真模型的等效网络包含一MOSFET,电流控制电流源,第一及第二电压源,第一及第二电压控制电压源,第一、第二、第三及第四电阻,其中:MOSFET的漏极连接第三电阻的第一端,第三电阻的另一端引出所述等效网络的漏极;MOSFET的源极连接第四电阻的第一端,第四电阻的另一端引出所述等效网络的源极;MOSFET的栅极及衬底电极直接引出;电流控制电流源的两端分别接在MOSFET的源极和漏极;第一电压控制电压源由MOSFET的源漏电压控制,且第一电压控制电压源作用于第一电阻并产生电流流经第一电压源;第二电压控制电压源由第三电阻两端的电压控制,且第二电压控制电压源作用于第二电阻并产生电流流经第二电压源。
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