[发明专利]半导体测试结构及其测试方法、检测方法有效
| 申请号： | 201210492219.9 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103839922B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 白凡飞;鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体测试结构及其测试方法，其中所述半导体测试结构，由若干呈行列分布的双镶嵌结构构成若干条串联的子测试链，子测试链的首端和首端相连，尾端和尾端相连，使若干条子测试链串联，构成半导体测试结构，节省了空间，通过测试半导体测试结构的电阻，从而判断双镶嵌结构是否存在缺陷，测试方法简单，测试效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体测试结构，其特征在于，包括：半导体衬底，位于半导体衬底上的底层介质层，底层介质层中具有若干第一连接结构；位于底层介质层上的中间介质层，中间介质层中具有若干呈行列分布的双镶嵌结构，每个双镶嵌结构具有第一插塞和位于第一插塞上的金属块；位于中间介质层上的顶层介质层，顶层介质层中具有若干第二连接结构和第三连接结构，中间介质层中的每一行中的第一个双镶嵌结构的第一插塞通过一个第一连接结构与同一行中相邻的第二个双镶嵌结构的第一插塞相连，第二个双镶嵌结构的金属块通过一个第二连接结构与同一行中相邻的第三个双镶嵌结构的金属块相连，直至第n‑1个双镶嵌结构的第一插塞通过一个第一连接结构与同一行中相邻的第n个双镶嵌结构的第一插塞相连，构成一条串联的子测试链，第三连接结构将相邻的子测试链的首端和首端相连，尾端和尾端相连，使若干条子测试链串联，构成半导体测试结构，其中，所述行列分布的双镶嵌结构中包括不同的双镶嵌结构，所述不同的双镶嵌结构的金属块的面积、长度和宽度的比值以及排布方向的至少其中之一不同。
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