[发明专利]一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法有效
| 申请号： | 201210495667.4 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN102938371A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 刘洪刚;韩乐;薛百清;孙兵;王盛凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法，包括：去除p型Ge衬底表面的自然氧化层，以形成激活的Ge表面；对激活的Ge表面进行硫钝化处理，利用Ge表面化学吸附作用构成Ge表面的硫吸附层；在Ge衬底上低温外延或者生长帽层；采用快速退火工艺将硫吸附层中的硫原子扩散进Ge衬底内；腐蚀掉帽层从而得到硫掺杂的n+/p型超浅结。利用本发明，能够实现在Ge衬底上的n+/p型超浅结，且工艺设备较为简单，耗费较小，易于进行大规模操作，解决了在Ge衬底结构上实现纳米尺度的浅掺杂，并满足了不同掺杂分布的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ge 衬底 制备 型超浅结 方法 | ||
【主权项】：
一种在p型Ge衬底制备n+/p型超浅结的方法，其特征在于，包括：步骤1：去除p型Ge衬底表面的自然氧化层，以形成激活的Ge表面；步骤2：对激活的Ge表面进行硫钝化处理，利用Ge表面化学吸附作用构成Ge表面的硫吸附层；步骤3：在Ge衬底上低温外延或者生长帽层；步骤4：采用快速退火工艺将硫吸附层中的硫原子扩散进Ge衬底内；步骤5：腐蚀掉帽层从而得到硫掺杂的n+/p型超浅结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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