[发明专利]半导体缺陷定位的方法

摘要

一种半导体缺陷定位的方法，包括：步骤S1：获得半导体缺陷的斑点图像；步骤S2：形成工作台视窗图像；步骤S3：获得边缘反差化斑点图像和边缘反差化工作台视窗图像；步骤S4：将所述边缘反差化斑点图像和所述边缘反差化工作台视窗图像进行匹配，找出缺陷位置和周边结构样貌；步骤S5：将前层结构过滤，并将周边结构样貌之信息导入扫描电子显微镜；步骤S6：将拍摄的半导体缺陷图像和导入的周边结构样貌进行匹配，定义扫描缺陷位置；步骤S7：重复步骤S1～S6，定义最终扫描缺陷位置。本发明无需人工手动调整偏差，可准确、快捷的定位，且避免人工检测中因缺乏经验、缺陷不易被察觉、偏差值过大等因素造成的真实缺陷未能被目检的后果，提高产品良率和稳定性，降低人力成本。

主权项

一种半导体缺陷定位的方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：由扫描机台获得半导体缺陷的斑点图像，所述半导体缺陷的斑点图像具有所述半导体之前层结构的图像信息；执行步骤S2：将所述半导体缺陷的斑点图像导入所述工作台视窗系统，并由所述工作台视窗系统呈现出邻近结构性光罩的叠加图，以形成所述工作台视窗图像；执行步骤S3：通过图像边缘反差化工艺对所述半导体缺陷的斑点图像和所述工作台视窗图像进行处理，以获得边缘反差化斑点图像和边缘反差化工作台视窗图像；执行步骤S4：将所述边缘反差化斑点图像和所述边缘反差化工作台视窗图像进行匹配，找出缺陷位置和缺陷位置所在膜层的周边结构样貌；执行步骤S5：通过所述工作台视窗系统将所述前层结构过滤，所述边缘反差化斑点图像仅保留半导体缺陷位置所在膜层的结构，并将所述缺陷位置所在膜层的周边结构样貌之信息导入扫描电子显微镜；执行步骤S6：扫描电子显微镜将其拍摄的半导体缺陷图像和通过所述导入的周边结构样貌之信息进行匹配，获得匹配系数最高的条件点，并将所述条件点所对应的位置定义为扫描缺陷位置；执行步骤S7：重复步骤S1～S6，进一步获得多个不同扫描缺陷位置，并定义最终扫描缺陷位置。