[发明专利]用于加工基体的装置以及用于加工基体的方法有效
| 申请号： | 201210500340.1 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103137527B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 普瑞米恩·马夫勒 | 申请（专利权）人： | 半太阳能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019 | 代理人： | 寿宁,张华辉 |
| 地址： | 德国拉*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于加工基体的装置以及用于加工基体的方法。本发明具体涉及一种用于对基体(17)、尤其是晶片进行加工、尤其是蚀刻和/或显影的装置，所述装置带有旋转盘(1)，所述旋转盘(1)具有文氏间隙(3)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 加工 基体 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种用于加工基体的装置，该装置包括旋转盘，其特征在于，所述旋转盘具有用于接收基体的上表面、下部件以及文氏间隙，所述文氏间隙界定于所述上表面与所述下部件之间，其中，所述下部件设有从压力介质源接收压力介质的通道，所述文氏间隙允许压力介质自其中排出并由此在所述上表面上形成负压，所述上表面设有至少一个通孔，所述至少一个通孔与所述通道连通以使压力介质经由所述上表面自所述通道中排出；并且扩散器被装入所述旋转盘的所述下部件中且形成所述文氏间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
