[发明专利]镓酞菁晶体的生产方法和使用镓酞菁晶体的生产方法生产电子照相感光构件的方法有效

专利信息
申请号: 201210500589.2 申请日: 2012-11-29
公开(公告)号: CN103130813A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 田中正人;川原正隆;渡口要;村上健;吉田晃 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: C07D487/22 分类号: C07D487/22;G03G5/06
代理公司: 北京魏启学律师事务所 11398 代理人: 魏启学
地址: 日本东京都大*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及镓酞菁晶体的生产方法和使用镓酞菁晶体的生产方法生产电子照相感光构件的方法。提供电子照相感光构件的生产方法,所述电子照相感光构件具有改进的感光度和不仅在常温常湿环境下而且在作为特别苛刻的条件的低温低湿环境下均能够输出具有较少的由于重影现象引起的图像缺陷的图像。镓酞菁晶体的生产方法包括将添加至溶剂的镓酞菁和特定胺化合物进行研磨处理,从而进行镓酞菁的晶体变换。此外,将镓酞菁晶体用于电子照相感光构件的感光层中。
搜索关键词: 镓酞菁 晶体 生产 方法 使用 电子 照相 感光 构件
【主权项】:
1.一种镓酞菁晶体的生产方法,所述方法包括将添加至溶剂的镓酞菁和由下式(1)表示的胺化合物进行研磨处理,从而进行所述镓酞菁的晶体变换:式(1)中:R1-R10各自独立地表示氢原子、卤素原子、芳氧基羰基、取代或未取代的酰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、具有取代基的氨基以及取代或未取代的环状氨基之一,条件是R1-R10中的至少之一表示用取代或未取代的芳基取代的氨基、用取代或未取代的烷基取代的氨基以及取代或未取代的环状氨基之一;和X1表示羰基和二羰基之一。
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