[发明专利]氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法有效
| 申请号： | 201210505932.2 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102969411A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 谢海忠;张扬;杨华;李璟;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，包括：在衬底上依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；减薄衬底；步骤3：在ITO层上面蒸度氧化硅保护膜；在衬底背面蒸度二氧化硅膜，并做出图形，腐蚀掉二氧化硅膜，形成外延片；刻蚀掉衬底上一侧的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层，形成台面；将刻蚀后的外延片衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，在衬底的背面腐蚀出沟槽；用激光器在台面上打通孔；在衬底上的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁及通孔的侧壁制作绝缘层；在绝缘层上制作导电层，该导电层便覆盖部分ITO层；在ITO层的中心处制作P型电极，该P型电极与导电层连接；在衬底背面蒸度N电极，完成制备。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 垂直 结构 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；步骤2：减薄衬底；步骤3：在ITO层上面蒸度氧化硅保护膜；步骤3：在衬底背面蒸度二氧化硅膜，并做出图形，腐蚀掉二氧化硅膜，形成外延片；步骤4：刻蚀掉衬底上一侧的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层，形成台面；步骤5：将刻蚀后的外延片衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，在衬底的背面腐蚀出沟槽；步骤6：用激光器在台面上打通孔；步骤7：在衬底上的N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层的侧壁及通孔的侧壁制作绝缘层；步骤8：在绝缘层上制作导电层，该导电层便覆盖部分ITO层；步骤9：在ITO层的中心处制作P型电极，该P型电极与导电层连接；步骤10：在衬底背面蒸度N电极，完成制备。
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