[发明专利]半导体存储器

摘要

本发明提供一种半导体存储器，本发明所述半导体存储器未设置控制栅，并通过将第一擦除栅和第二擦除栅分别设置于所述第一浮栅和第二浮栅上，则在擦除阶段中，所述半导体存储器可以直接通过第一擦除栅和第二擦除栅进行擦除操作，则不需要在第一位线和第二位线上施加较高的擦除电压，因此可以降低字线与半导体衬底之间的字线氧化介质层的厚度，降低字线氧化介质层的厚度不仅提高开启电流，同时能够减小漏电流，保持较小的关闭电流，同时在读取的时候，降低字线的读取电压，进而节省半导体存储器的功耗。

主权项

一种半导体存储器，包括：衬底和形成于所述衬底中的第一漏极区、源极区和第二漏极区，所述源极区位于所述第一漏极区和第二漏极区之间；第一字线，位于所述第一漏极区和源极区之间的衬底上；第二字线，位于所述第二漏极区和源极区之间的衬底上；源极线，位于所述源极区上；第一浮栅，位于所述第一字线和源极线之间的衬底上，所述第一浮栅部分位于所述源极区上；第一擦除栅，位于所述第一浮栅上；第二浮栅，位于所述第二字线和源极线之间的衬底上，所述第二浮栅部分位于所述源极区上；第二擦除栅，位于所述第二浮栅上；以及介质层，所述介质层形成于衬底、第一字线、第二字线、源极线、第一浮栅、第一擦除栅、第二浮栅及第二擦除栅中相邻的两两结构之间；所述介质层包括字线氧化介质层，所述字线氧化介质层形成于所述第一字线与所述衬底之间以及所述第二字线与所述衬底之间，所述字线氧化介质层的厚度为在擦除、编程或读取阶段时，对擦除栅、位线、源极线、字线分别施加不同的电压值，以完成对所述半导体存储器的擦除、编程或读取操作。