[发明专利]高密度半导体存储器件有效
| 申请号： | 201210507899.7 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103137173B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 李宰圭;姜荣珉;李贤珠 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C8/08;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了高密度半导体存储器件。该器件可以包括单元阵列区，包括下结构、上结构和选择结构，该选择结构插置在下结构与上结构之间并且包括多个字线；以及解码电路，用于控制施加到字线的电压。该解码电路可以配置为响应于输入到其的字线地址信息而将第一电压施加到彼此相邻的一对字线并且将不同于第一电压的第二电压施加到剩余的字线。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：单元阵列区，包括下结构、上结构和选择结构，所述选择结构插置在所述下结构与所述上结构之间并且包括二维地布置在所述下结构上的多个有源图案和提供在所述有源图案之间的多个字线；以及解码电路，用于控制施加到所述字线的电压，其中所述解码电路配置为响应于输入到其的字线地址信息而将第一电压施加到彼此相邻的一对字线并且将不同于所述第一电压的第二电压施加到剩余的字线，使得所述有源图案中插置在所述对字线之间的有源图案导通且所述有源图案中的其它有源图案截止。
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