[发明专利]集成电路和IC制造方法有效
| 申请号： | 201210509776.7 | 申请日： | 2012-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN103137620A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·博尔特;纪尧姆·迪布瓦;纳维恩·阿格拉沃尔;高拉夫·比希特;贾亚拉·蒂莱高文登;廖洁;林钦;尼科·贝克曼;皮特·威塞尔斯 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路管芯，包括有源衬底(20)，所述有源衬底(20)包括通过相应的隔离结构(30)彼此横向分离的多个部件，所述隔离结构中的至少一些承载另外部件(40)，其中承载所述另外部件的隔离结构下方的有源衬底的相应部分与所述部件电绝缘。还公开了一种制造这种IC管芯的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 ic 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路管芯，包括有源衬底(20)，所述有源衬底(20)包括通过相应的隔离结构(30)彼此横向分离的多个部件，所述隔离结构中的至少一些隔离结构承载另外部件(40)，其中承载所述另外部件的隔离结构下方的有源衬底的相应部分与所述部件电绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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