[发明专利]一种铜铟镓硒太阳能电池用硫化铟缓冲层薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种铜铟镓硒太阳能电池用In2S3缓冲层薄膜的制备方法：步骤1，清洗基体，步骤2，配制反应溶液，取一定量的InCl3·4H2O、CH3CSNH2和CH3COOH溶液置于一容器中并控制In离子和S离子浓度比在1:2~1:10范围内，调节混合溶液的pH值，得到反应溶液，步骤3，沉积In2S3缓冲层薄膜，将基体固定于反应溶液中，将容器用铝纸密封，在一定温度下搅拌，反应完全后得到沉积有In2S3缓冲层薄膜的基体，步骤4，除杂。本发明所制备的In2S3缓冲层薄膜的可见光透过率超过85%，能带隙达2.7eV，可作为代替CdS薄膜的CIGS太阳能电池用缓冲层薄膜。

主权项

一种铜铟镓硒太阳能电池用In2S3缓冲层薄膜的制备方法，由化学水浴法在基体上反应合成In2S3缓冲层薄膜，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，清洗所述基体，将所述基体依次用丙酮、乙醇在超声波中分别清洗一段时间，再用去离子水冲洗彻底后放在保温箱里面烘干；步骤2，配制反应溶液，取一定量的InCl3·4H2O、CH3CSNH2和CH3COOH(AC)溶液置于一容器中配制成混合溶液，控制所述混合溶液中In离子和S离子浓度比nIn:nS在1:2~1:10范围内，并调节所述混合溶液的pH值，使所述pH值在一定范围内，得到反应溶液；步骤3，沉积In2S3缓冲层薄膜，将装有所述反应溶液的所述容器放入一定温度的恒温水浴槽中，并将所述基体固定于所述反应溶液中，然后将所述容器用铝纸密封，在磁力搅拌器的搅拌下，所述基体与所述反应溶液发生反应，反应完全后得到沉积有所述In2S3缓冲层薄膜的基体；步骤4，除杂，将所述沉积有In2S3缓冲层薄膜的基体取出，并用去离子水去除其的表面杂质，然后将其放在保温箱内烘干。