[发明专利]一种湿刻蚀工艺无效
申请号: | 201210510898.8 | 申请日: | 2012-12-03 |
公开(公告)号: | CN103021811A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 郑建博;黄兴成 | 申请(专利权)人: | 彩虹(佛山)平板显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 528300 广东省佛*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种湿刻蚀工艺,包括对玻璃基板进行上料、EUV、刻蚀、刻蚀浴、清洗、风刀以及最终出料,通过在传统刻蚀工序后加入刻蚀浴,可以避免基板在刻蚀液中完成刻蚀后突然进入清洗使得药液浓度陡变导致的刻蚀不良,降低基板产生刻蚀不均匀的几率,待刻蚀的图形实现同步刻蚀,得到理想的光滑的图形线条,且刻蚀均匀,从而提高基板的良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】:
一种湿刻蚀工艺,其特征在于:包括以下步骤:1)上料:将玻璃基板放入湿刻机的入口传送带上;2)EUV:对玻璃基板用紫外灯管进行照射去除杂质,后用纯水进行清洗,最后进行烘干处理;3)刻蚀:将浓度为59%的磷酸、浓度为5%的硝酸以及浓度为4%的醋酸按照重量比为50:7:15的比例混合形成刻蚀液,并用该刻蚀液对经过EUV处理的玻璃基板进行刻蚀,同时在出口处进行烘干处理;4)刻蚀浴:按照步骤3)中的配比配置刻蚀液,并将其稀释为浓度为20~30%,形成刻蚀液浴,将经过刻蚀后的玻璃基板放入在刻蚀液浴中,玻璃基板以的方式通过刻蚀液浴;5)清洗:玻璃基板经过刻蚀液浴后,进入清洗单元,利用纯水对玻璃基板上残存的刻蚀液进行清洗;6)风刀:清洗过后,将玻璃基板送入风刀单元,利用风刀将玻璃基板表面的水分烘干;7)出料:将玻璃基板从湿刻机的传送带上取出,放入湿刻机旁指定的卡匣中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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